„Dópolás” változatai közötti eltérés

[ellenőrzött változat][nem ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
a →‎Szerves vezetők dópolása: további források (friss cikkek a témában)
a →‎Szennyezők a szilíciumban: Nehezen értelmezhető forrásokra mutató jegyzetek javítása.
57. sor:
* Akceptor szennyezők (p-típus) 
** '''Bór: '''alacsony diffúziója jól kontrollálható dópolási eljárást tesz lehetővé, így a dópolt tartomány jól szabályozható. A CMOS iparban gyakran alkalmazzák. A dópolás történhet például bór-hidrid gáz diffúziójának alkalmazásával. Jó oldhatósága miatt nagy dópolási koncentrációjú félvezetőkben gyakran alkalmazzák.
** '''Alumínium:''' mély dópoláskor alkalmazzák és gyakran természetes szennyezőként is jelen van.<ref name="crgrvlsi">https://booksEranna, G.google (2014). ''Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI''. CRC Press.cz/books?id=S43SBQAAQBAJ&pg=PA253&dq=gallium+doped+silicon&hl=en&sa=X&ved=0CCgQ6AEwAmoVChMI4NuVi6LAxwIVg74UCh2xvAxM#v=onepage&q=gallium%20doped%20silicon&f=false</ref>
** '''Nitrogén:''' hozzájárul a szilícium kristály hibamentes növekedéséhez és mivel gátolja a vakanciák adott helyen történő csoportosulását, így javítja a mechanikai jellemzőket.<ref name="crgrvlsi">https://books.google.cz/books?id=S43SBQAAQBAJ&pg=PA253&dq=gallium+doped+silicon&hl=en&sa=X&ved=0CCgQ6AEwAmoVChMI4NuVi6LAxwIVg74UCh2xvAxM#v=onepage&q=gallium%20doped%20silicon&f=false</ref>
** '''Gallium:''' többek között hosszúhullámú infravörös szilícium detektorokban alkalmazzák.<ref name="neutrondop">https://books.google.cz/books?id=yMLkBwAAQBAJ&pg=PA437&dq=gallium+doped+silicon&hl=en&sa=X&ved=0CDEQ6AEwBGoVChMI4NuVi6LAxwIVg74UCh2xvAxM#v=onepage&q=gallium%20doped%20silicon&f=false</ref> Mivel a gallium-dópolt szilíciumban hosszú a [[töltéshordozó élettartam|kisebbségi töltéshordozók élettartama]], mely ráadásul időben stabil, így felmerült a napelemekben és TFT kijelzőkben való alkalmazása is.<ref name="crgrvlsi">https://books.google.cz/books?id=S43SBQAAQBAJ&pg=PA253&dq=gallium+doped+silicon&hl=en&sa=X&ved=0CCgQ6AEwAmoVChMI4NuVi6LAxwIVg74UCh2xvAxM#v=onepage&q=gallium%20doped%20silicon&f=false</ref>
67. sor:
** '''Antimon:''' alacsony diffúziós együtthatójú szennyező, melyet gyakran fedett rétegek készítésére használnak. Hasonló diffúziója és hatása miatt gyakran az arzén helyett alkalmazzák. Mivel szinte mindig szubsztitúciós szennyezőként terjed, így az antimon alkalmazása esetén kevés a rácstorzulásból adódó anomális hatás. A teljesítményelektronikában is alkalmaznak erősen antimon-dópolt szilícium eszközöket.<ref name="crgrvlsi">https://books.google.cz/books?id=S43SBQAAQBAJ&pg=PA253&dq=gallium+doped+silicon&hl=en&sa=X&ved=0CCgQ6AEwAmoVChMI4NuVi6LAxwIVg74UCh2xvAxM#v=onepage&q=gallium%20doped%20silicon&f=false</ref>
** '''Bizmut:''' felvetődött az alkalmazása a hosszúhullámú detektorokban a p-típusú gallium-dópolt félvezető kiváltására.<ref>http://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.959299</ref>
** '''Lítium:''' sugárzásálló napelemekben alkalmazzák.<ref>https://booksRauschenbach, H.google S.cz/books?id=BAjsCAAAQBAJ&pg=PA157&lpg=PA157&dq=lithium+doped+silicon+solar&source=bl&ots= (1980). Solar cell array design handbook-KuJVXdICM&sig=JyHhpQ5U_C3xOK8PKXhKRzAppv0&hl=en&sa=X&ved=0CDMQ6AEwA2oVChMIsf7kndfAxwIVwlsUCh0z2Qq2#v=onepage&q=lithium%20doped%20silicon%20solar&f=falseThe principles and technology of photovoltaic energy conversion.</ref><br>
 
* Egyéb szennyezők
75. sor:
 
=== Egyéb félvezetők és gyakori szennyezőik ===
<ref>Grovenor, C. R. (1989). ''Microelectronic materials''. CRC Press.</ref>
<ref>https://books.google.cz/books?id=Ecl_mnz1xcUC&pg=PA19&dq=silicon+doping+boron+phosphorus+arsenic+lithium&hl=en&sa=X&ved=0CCcQ6AEwADgKahUKEwj8iPPg3MDHAhWDvBQKHSHVBig#v=onepage&q=silicon%20doping%20boron%20phosphorus%20arsenic%20lithium&f=false</ref>
* [[Gallium-arzenid]]
** n-típus: tellúr, kén (As helyett), ón, szilícium, germánium (Ga helyett)
A lap eredeti címe: „https://hu.wikipedia.org/wiki/Dópolás