„Tranzisztor” változatai közötti eltérés

[nem ellenőrzött változat][nem ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
Effendi (vitalap | szerkesztései)
Effendi (vitalap | szerkesztései)
26. sor:
[[Fájl:Early bipolartransistor bottom.jpg|bélyegkép|jobbra|Germánium tranzisztor az 1960-as évekből. (Az üveg tokozatról a fekete fedőfestés részben eltávolítva.)]]
Az első germánium tranzisztorok műgyanta tokozását felváltotta a légmentesen lezárt üveg-, majd fémtok, mert a germánium felülete érzékeny a hosszútávú légköri behatásokra. A szilícium – bár néhány tulajdonságában hátrányban van a germániumból készült félvezetőkkel szemben – felületén gyártáskor létrejövő oxidréteg megvédi a félvezető eszközt, így olcsóbb műgyanta tokozás is elegendő. Szilíciumból készült tranzisztorok esetén is alkalmaznak fémtokozást, ha a tranzisztor működése közben keletkezett hőt el kell vezetni. A szilícium nagy tömegben fordul elő a természetben, így a félvezetőiparban gyorsan kiszorította a ritka és költséges germániumot. Germániumból tranzisztorokat az 1980-as évek végétől már csak pótlás céllal (pótalkatrész) gyártanak. A germánium tranzisztor érzékenyebben reagál a környezeti hőmérséklet változására, mint a szílícium alapanyagú. Szilícium tranzisztorokat gyártanak nagyfeszültségre és nagy áramerősségre is, főként az ipari hajtástechnikában.
<ref>http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/php/eTypeNoProfile.php?TYPENO=CM1200HB-66H&FOLDER=/product/powermodule/hvigbt_ipm/h_series</ref>
 
== Működési elve ==