„Integrált áramkör” változatai közötti eltérés
| [nem ellenőrzött változat] | [ellenőrzött változat] |
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
Nincs szerkesztési összefoglaló |
a indokolatlan törlés |
||
19. sor:
== Technológia ==
A [[félvezető]] alapanyag legtöbbször [[szilícium]], de használnak más félvezetőt ([[germánium]]ot), ezek keverékét, mint például a szilícium-germánium , SiGe („feszített szilíciumrács”, angolul: strained silicon) és félvezető tulajdonságú vegyületeket is ([[vegyület félvezetők]]). Gyakran alkalmazott [[vegyületfélvezető]] a [[gallium-arzenid]] (GaAs), [[alumínium-gallium-arzenid]] (AlGaAs) és az [[indium-foszfid]] (InP). A mai napig a szilícium a legelterjedtebb, mivel tömegtermékek esetén ez a legolcsóbb technológia. A vegyületfélvezetőket speciális alkalmazásokban használják, mint például nagyfrekvenciás áramkörök.
Az integrált áramkörök napjainkban planár, azaz réteges technológiával készülnek. Tipikus technológiai lépések a rétegleválasztás, fotolitográfia, maratás, a diffúzió és az ionimplantáció.
Az integrált áramkör tipikus alkatrésze a [[tranzisztor]]. A hagyományos passzív elemek, mint az ellenállás, a kondenzátor és a tekercs a tranzisztor méretéhez képest jóval nagyobb helyet foglalnak el, emiatt ezeket ritkán használják. Logikai áramkörökben gyakran csak tranzisztorok találhatóak. Ellenállások és kondenzátorok bizonyos megszorítások mellett tranzisztorokkal helyettesíthetőek.
== Alkotóelemek ==
| |||