„P-n átmenet” változatai közötti eltérés

egy bájt hozzáadva ,  11 évvel ezelőtt
a (Bot: következő hozzáadása: fa:اتصال P-N)
'''P-típus''' esetén a félvezetőt elektronhiánnyal rendelkező anyaggal szennyezik, így 'lyukak' alakulnak ki az anyag szerkezetében, melyek pozitív töltésnek tekinthetők. Például bór (B) melynek 3 elektronja tud létrehozni kötést, és a 4. helyen egy 'lyuk' keletkezik.
 
Legtöbbször ezt egy [[félvezető]] kristály különböző részeinek eltérő szennyezésével ([[akceptor]] vagy [[donor]] atomok) érik el. Ez az átmenet a két réteg határán alakul ki, és olyan érdekes tulajdonságokkal rendelkezik amelyek elektronikai alkalmazásokban hasznosak. Egy P vagy N-típusú [[félvezető]]nek aránylag jó a vezetőképessége, azonban az átmeneti réteg nem vezet. Ezt a nem vezető rétgetréteget [[kiürülési tartomány]]nak nevezik. Ez azért jön létre mert a két réteg töltéshordozói (N-típusnál az elektronok, P-típusnál a lyukak) kölcsönhatásba léphetnek egymással és rekombinálódnak. Az [[elektron]] és a [[lyuk]] (elektronhiány) találkozásakor ilyen egyszerű esetben az elektron betölti a lyukat és mindkettő megszűnik. Ezen nem vezető réteg segítségével érdekes elektronikai alkalmazásokat lehet megvalósítani. Többségi töltéshordozónak a szennyezett anyagnak többségben részt vevő töltéshordozóit nevezzük (például N típus esetén ezek elektronok, míg P esetén a 'lyukak'), kisebbségi a másik csoport (N esetén 'lyukak', P esetén elektronok)
 
== PN átmenetek felépítése és működése ==
Névtelen felhasználó