„Integrált áramkör” változatai közötti eltérés

[ellenőrzött változat][ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
SieBot (vitalap | szerkesztései)
a Bot: következő hozzáadása: ht:Sikui entegre
a bvet
16. sor:
 
== Technológia ==
A [[félvezető]] alapanyag legtöbbször [[szilícium]], de hasz­nálnak más félvezetőt ([[germánium]]ot), ezek keverékét, mint például a szilícium-germánium , SiGe („feszített szilíciumrács”, angolul: strained silicon) és félvezető tulajdonságú vegyületeket is ([[vegyület félvezetők]]). Gyakran alkalmazott [[vegyületfélvezető]]k a [[gallium-arzenid]] (GaAs), [[Alumíniumalumínium-gallium-arzenid]] (AlGaAs) és az [[indium-foszfid]] (InP). A mai napig a szilícium a legelterjedtebb, mivel tömegtermékek esetén ez a legolcsóbb technológia. A vegyületfélvezetőket speciális alkalmazásokban használják, mint például nagyfrekvenciás áramkörök.
Az integrált áramkörök napjainkban planár, azaz réteges technológiával készülnek. Tipikus technológiai lépések a rétegleválasztás, fotolitográfia, maratás, a diffúzió és az ionimplantáció.
Az integrált áramkör tipikus alkatrésze a [[tranzisztor]]. A hagyományos passzív elemek, mint az ellenállás, a kapacitás és a tekercs a tranzisztor méretéhez képest jóval nagyobb helyet foglalnak el, emiatt ezeket ritkán használják. Logikai áramkörökben gyakran csak tranzisztorok találhatóak. Ellenállások és kapacitások bizonyos megszorítások mellett tranzisztorokkal helyettesíthetőek.