„P-n átmenet” változatai közötti eltérés

nincs szerkesztési összefoglaló
Nincs szerkesztési összefoglaló
Nincs szerkesztési összefoglaló
== A két félvezetőtípus ==
 
'''N-típus''' esetén a félvezető anyagát a gyártás során elektrontöbblettel rendelkező anyaggal szennyezikadalékolják, ezért ott negatív töltésűvé válik (ezért hívjuk n-típusúnak). Ez szilícium esetén például foszfor (P) ami 5 vegyérték elektronnal rendelkezik. Ebből 4 vesz részt a kötésben az 5. pedig "szabad".
 
'''P-típus''' esetén a félvezetőt elektronhiánnyal rendelkező anyaggal szennyezikadalékolják, így 'lyukak' alakulnak ki az anyag szerkezetében, melyek pozitív töltésnek tekinthetők. Például bór (B) melynek 3 elektronja tud létrehozni kötést, és a 4. helyen egy 'lyuk' keletkezik.
 
Legtöbbször ezt egy [[félvezető]] kristály különböző részeinek eltérő szennyezéséveladalékolásával ([[akceptor]] vagy [[donor]] atomok) érik el. Ez az átmenet a két réteg határán alakul ki, és olyan érdekes tulajdonságokkal rendelkezik amelyek elektronikai alkalmazásokban hasznosak. Egy P vagy N-típusú [[félvezető]]nek aránylag jó a vezetőképessége, azonban az átmeneti réteg nem vezet. Ezt a nem vezető réteget [[kiürülési tartomány]]nak nevezik. Ez azért jön létre, mert a két réteg töltéshordozói (N-típusnál az elektronok, P-típusnál a lyukak) kölcsönhatásba léphetnek egymással és rekombinálódnak. Az [[elektron]] és a [[lyuk]] (elektronhiány) találkozásakor ilyen egyszerű esetben az elektron betölti a lyukat és mindkettő megszűnik. Ezen nem vezető réteg segítségével érdekes elektronikai alkalmazásokat lehet megvalósítani. Többségi töltéshordozónak aaz adalékolt szennyezett anyagnak többségben részt vevő töltéshordozóit nevezzük (példáultehát N típus esetén ezek elektronok, míg P esetén a 'lyukak'), kisebbségi a másik csoport (N esetén 'lyukak', P esetén elektronok).
A kisebbségi töltéshordozók pedig, a másik csoport (N esetén 'lyukak', P esetén elektronok)
 
== PN átmenetek felépítése és működése ==
 
Ha egy n és egy p típusú réteget rakunk egymás mellé, akkor aaz szennyezőadalékoló atomok eloszlása megváltozik. A PN átmenet a két különböző szennyezettségűadalékolású anyag határán jön létre, és csak néhány µm vastagságú. A két réteg érintkezésénél a töltéshordozók koncentrációkülönbsége miatt [[diffúzió]] indul meg.
 
A koncentráció különbség miatt a P oldalról az N oldalra megindul egya részecskék vándorlása [[diffúziós áram]] vándorlás, és középen, a tértöltési zónában rekombinálódnak. Miután a szabad töltések elvándoroltak, a helyhezkötött töltések egy E diffúziós potenciált hoznak létre. A kisebbségi töltéshordozók, pedig [[driftáram]]ot hoznak létre a kiürített részbe való vándorlással. Ezután energia egyensúly alakul ki.
 
'''Kiürített réteg''': először a PN átmenet közvetlen közelében lévő többségi töltéshordozók áramlanak a másik oldalra és rekombinálódnak. Ebből viszont az következik, h a PN átmenet két oldalán olyan réteg keletkezik, amelyből elfogytak a töltéshordozók. Ezt a réteget nevezzük kiürített rétegnek.
Névtelen felhasználó