„Dópolás” változatai közötti eltérés
| [nem ellenőrzött változat] | [nem ellenőrzött változat] |
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
a →Szennyezők a szilíciumban: Egy forrás javítása: a neutrontranszmutációs forrás csak az adott szakaszhoz való, az indiumdópolásnál Eranna et al. a jó. |
ref javítás |
||
58. sor:
** '''Bór: '''alacsony diffúziója jól kontrollálható dópolási eljárást tesz lehetővé, így a dópolt tartomány jól szabályozható. A CMOS iparban gyakran alkalmazzák. A dópolás történhet például bór-hidrid gáz diffúziójának alkalmazásával. Jó oldhatósága miatt nagy dópolási koncentrációjú félvezetőkben gyakran alkalmazzák.
** '''Alumínium:''' mély dópoláskor alkalmazzák és gyakran természetes szennyezőként is jelen van.<ref name="crgrvlsi">Eranna, G. (2014). ''Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI''. CRC Press.</ref>
** '''Nitrogén:''' hozzájárul a szilícium kristály hibamentes növekedéséhez és mivel gátolja a vakanciák adott helyen történő csoportosulását, így javítja a mechanikai jellemzőket.<ref name="crgrvlsi"
** '''Gallium:''' többek között hosszúhullámú infravörös szilícium detektorokban alkalmazzák.<ref name="neutrondop">Guldberg, J. (Ed.). (2013). ''Neutron-transmutation-doped Silicon''. Springer Science & Business Media.</ref> Mivel a gallium-dópolt szilíciumban hosszú a [[töltéshordozó élettartam|kisebbségi töltéshordozók élettartama]], mely ráadásul időben stabil, így felmerült a napelemekben és TFT kijelzőkben való alkalmazása is.<ref name="crgrvlsi"
** '''Indium''' szintén hosszúhullámú infravörös szilícium detektorok jellemző szennyezője, de szerepe van a TFT iparban és egyes szilárdtest lézerek gyártásában is.<ref name="crgrvlsi" />
* Donor szennyezők (n-típus)
** '''Foszfor:''' gyors diffúziója miatt gyakran tömbi dópolásra, vagy potenciálvölgy kialakítására alkalmazzák. Gyakori alkalmazása a napelemgyártás. A dópolás történhet [[foszfin]] gáz diffúzióval, illetve a térfogati dópolás egyik megvalósítása a tiszta szilícium neutronbesugárzásával létrehozott nukleáris transzmutáció. A foszfor továbbá becsapdázza az arany atomokat, melyek egyébként szilíciumban gyorsan diffundálnak és szórócentrumként viselkednek.
** '''Arzén:''' lassú diffúziója miatt jól szabályozható és széles átmenetek kialakítására alkalmas. Szintén ennek a tulajdonságának következménye, hogy hőkezelések során kevésbé terjed szét az anyag belsejében, fedett rétegek kialakítása is lehetséges és gyakran alkalmazzák olyankor, ha vékony és jól definiált rétegben kell a szennyezőknek elhelyezkedniük. Az atomsugara a szilíciuméhoz hasonló és nagy szennyező koncentrációk kialakítására is alkalmazható.<ref name="crgrvlsi"
** '''Antimon:''' alacsony diffúziós együtthatójú szennyező, melyet gyakran fedett rétegek készítésére használnak. Hasonló diffúziója és hatása miatt gyakran az arzén helyett alkalmazzák. Mivel szinte mindig szubsztitúciós szennyezőként terjed, így az antimon alkalmazása esetén kevés a rácstorzulásból adódó anomális hatás. A teljesítményelektronikában is alkalmaznak erősen antimon-dópolt szilícium eszközöket.<ref name="crgrvlsi"
** '''Bizmut:''' felvetődött az alkalmazása a hosszúhullámú detektorokban a p-típusú gallium-dópolt félvezető kiváltására.<ref>http://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.959299</ref>
** '''Lítium:''' sugárzásálló napelemekben alkalmazzák.<ref>Rauschenbach, H. S. (1980). Solar cell array design handbook-The principles and technology of photovoltaic energy conversion.</ref><br>
* Egyéb szennyezők
** '''Germánium:''' a tervezett sávszerkezetű anyagokban alkalmazzák. Egy germánium réteg az anyagban akadályozza a bór diffúzióját, ami ekkor jobban ellenáll a hőkezelésnek, így sekély p-MOSFET átmenetek hozhatók létre.<ref>http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/wittmann/node7.html</ref> Továbbá a tömbi germánium szennyező csökkenti a rácshibák esélyét, segít a nemkívánatos szennyezők becsapdázásában és javítja a szelet mechanikai jellemzőit.<ref name="crgrvlsi"
** '''Szilícium, germánium''' és '''xenon:''' ionnyalábként alkalmazva segít a szilícium szelet felületének (vagy fedett rétegek) amorfizálásában. Ezt az eljárást például sekély p-MOSFET átmenetek kialakítására alkalmazzák.
** '''Arany''' és '''platina:''' a kisebbségi töltéshordozók élettartamát lehet velük finomhangolni.<br>
| |||