„Atomerő-mikroszkóp” változatai közötti eltérés

[nem ellenőrzött változat][nem ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
→‎Fordítás: nemzetközi katalógusok
a Helyesírási hibák, kifejezések
1. sor:
[[Fájl:Atomic force microscope block diagram.svg|bélyegkép|Az atomerő-mikroszkóp által használt lézernyaláb visszaverődéses érzékelési módszerének elvi rajza látható. Ahogyan a tartókar kimozdul a felülettel való kölcsönhatás révén, ugyanígy a lézer visszaverődött nyalábja is elmozdul a fotodióda felületén.]]
 
Az '''atomerő-mikroszkópia''' (atomic force microscopy – AFM) vagy '''pásztázóerő-mikroszkópia''' (scanning force microscopy – SFM) egy nagyon magas felbontású pásztázószondás -mikroszkópia (scanning probe microscopy – SPM). A [[nanométer]] tört részével megegyező felbontásban dolgozik, ami ezerszer jobb, mint az [[optikai diffrakciós határ]].
 
== Áttekintés ==
13. sor:
Képalkotás céljából a felület által a szondára gyakorolt erők visszahatásából nagy felbontású háromdimenziós kép készíthető a felületről (topográfia). Az ún. raszterpásztázással megméri a minta pozicíóját a letapogató hegyhez képest és feljegyzi a szonda magasságát, amely egy jól ismert konstans szonda-minta kölcsönhatásnak felel meg. A felületi topográfiát általában egy [[pszeudoszín]] grafikon segítségével ábrázolják.
[[Fájl:Atomic force microscope by Zureks.jpg|bélyegkép|Egy atomerő-mikroszkóp bal oldalt az őt irányító számítógéppel jobb oldalt]]
Anyagmanipuláció során a hegy és az anyag között fellépő erők arra is használhatók, hogy az anyag tulajdonságait tegyék próbára, természetesen egy felügyelt módon. Erre példaként az atomi manipulációkat, a [[Pásztázó szondás litográfia|pásztázó szondás pásztázószondás-litográfiát]] vagy akár a helyi sejt stimulációt is felhozhatnánk.
 
Egyidőben a topográfia képalkotással, más tulajdonságai is megmérhetőek az anyagnak helyileg és természetesen ábrázolhatóak kép formájában, sokszor hasonlóan nagy felbontásban. Ilyen tulajdonságokra példaként adható, mint mechanikai tulajdonság a merevség, keménység vagy adhéziós mérték, illetve, mint elektromos tulajdonság a vezetőképesség vagy felületi potenciál. Tulajdonképpen nagyrésze az SPM eljárásoknak kiegészítői az AFM-nek amely ez ilyen folyamatokat használja.
20. sor:
A jelentős különbség az atomerő mikroszkópia és más versenyképes technológiák (pl. optikaimikroszkópia, elektronmikroszkópia) között az, hogy az AFM nem használ sem lencséket, sem sugárzást. Éppen ezért, nem is limitált a térbeli felbontást illetően a diffrakció vagy aberrációk miatt, továbbá az sem szükséges, hogy előkészítsük az elektron sugár számára a teret annak megfelelő irányítása végett (vákuumot kellene létrehozni) és nélkülözhetjük a minta megjelölését is.
[[Fájl:Atomic Force Microscope.ogv|bélyegkép|Az atomerő-mikroszkóp működése]]
Rengeteg fajta pásztázó mikroszkópia létezik, úgy, mint a pásztázó szondáspásztázószondás-mikroszkópia (ide tartozik az AFM, [[Pásztázó alagútmikroszkóp|pásztázó alagútmikroszkópia]] ([[:en:Scanning_tunneling_microscope|STM]]), érintés nélküli pásztázó optikaimikroszkópia ([[:en:Near-field_scanning_optical_microscope|NSOM/SNOM]]), stimulált kibocsájtásemisszió csökkenésescsökkentéses mikroszkópia ([[:en:STED_microscopy|STED]]) és természetesen a [[Pásztázó elektronmikroszkóp|pásztázó elektronmikroszkópia]]). Habár a STED és SNOM látható, infravörös vagy THz nagyságú frekvenciájú fényt használ a minta megvilágítására, az általuk elért felbontás mégsincs korlátozva az [[optikai diffrakciós limit]] által.
 
=== Felépítés ===