„Kémiai gőzfázisú leválasztás” változatai közötti eltérés
| [nem ellenőrzött változat] | [nem ellenőrzött változat] |
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
Nincs szerkesztési összefoglaló |
Nincs szerkesztési összefoglaló |
||
1. sor:
{{Nanotechnológia navoszlop/Nanolitográfia|kép=PICT0111.JPG}}A '''kémiai gőzfázisú leválasztás''' (angol rövidítéssel '''CVD''', ''chemical vapor deposition'') a [[vékonyréteg-leválasztás]]<ref group="m">A magyar rétegleválasztás szakkifejezés gyakran félreértésre ad okot: a leválasztás itt a mintadarab felületére történik, azaz a réteg épülésével jár, nem pedig onnan egy réteg eltávolításával.</ref> egy lehetséges módszere, amelyet [[vékonyréteg]]ek kialakítására alkalmaznak a [[mikrotechnológia|mikro]]- és a [[nanotechnológia|nanotechnológiában]]. A CVD-módszerek általános jellemzője az, hogy egy [[kémiai reaktor]]ba gázfázisban juttatott anyag kémiai reakció eredményeképpen egy hordozó felületére válik le, melyen rétegbevonatot képez.
A CVD során a felületen [[adszorpció|adszorbeálódott]] atomok reakcióba lépnek, mely lehet például [[pirolízis]],{{h|Szepes|o=2}} [[Redoxireakció|oxidáció
==Megjegyzések==
| |||