„Kémiai gőzfázisú leválasztás” változatai közötti eltérés
| [nem ellenőrzött változat] | [nem ellenőrzött változat] |
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
Nincs szerkesztési összefoglaló |
→Típusai: bőv |
||
6. sor:
A kémiai gőzfázisú leválasztás során a különféle megvalósítások közös jellemzőit figyelembe véve az alábbi fizikai-kémiai lépések mennek végbe:
# A készülékbe bevezetik a kiinduló anyagokat gáz halmazállapotban, melyek atomjai a gáztérben a hordozó felületére jutnak. A bevezetett kiinduló anyagok összefoglaló neve ''prekurzor''.
# Az atomok a felületen adszorpcióval megkötődnek, de a felületen diffúzióval elmozdulhatnak.
# Az atomok a felületen összetalálkozva reakcióba léphetnek.
# A reakciótermékek egy része a felületen megkötődik és réteget alkot.
# A felületről deszorbeálódó, vagy a gáztérből nem lecsapódó anyagot a rendszerből elszívják.
Fontos technikai szempont, hogy az elszívott anyagok sokszor káros, maró vagy mérgező anyagok, így kezelésük figyelmet, és megfelelő mérnöki módszert igényel.
== Típusai ==
A CVD-berendezéseket többféle szempont szerint különböztetik meg, többek között a vákuumtér jellemzői, a gáz bejuttatásának módja, a hordozó fűtése, stb. alapján.▼
* Izzószállal segített CVD (''hot filament CVD, HFCVD'')
* [[Plazmával segített kémiai gőzfázisú leválasztás|Plazmával segített CVD]] (''plasma enhanced CVD, PECVD''){{h|Szepes|o=3}}
* Távoli plazmával segített CVD (''remote plasma-enhanced CVD, RPECVD''): a PECVD-hez hasonló elvű berendezés, viszont a plazma közvetlenül nem érintkezik a hordozóval, melytől annak plazmakárosodása csökken.
* Lézerrel segített CVD (''laser asisted CVD, LACVD'')
* [[Hibrid fizikai-kémiai gőzfázisú leválasztás]] (''Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD'')
* [[Atomi rétegleválasztás]] (''ALCVD'', illetve az általánosabb ''ALD'')
* Fémorganikus CVD (''metalorganic CVD, MOCVD'')
* Fotoindukált CVD (''Photo-initiated CVD'', PICVD): e módszer során a hordozón végbemenő kémiai reakciókat [[Ibolyántúli sugárzás|ultraibolyafénnyel]] segítik.{{h|Szepes|o=3}}
== Megvalósítása ==
▲A CVD-berendezéseket többféle szempont szerint különböztetik meg, többek között a vákuumtér jellemzői, a gáz bejuttatásának módja, a hordozó fűtése, stb. alapján.
A CVD-eljárás folytatható atmoszferikus nyomáson, melyet az összetettebb berendezésekben nem alkalmaznak, ugyanis a gáztérben nem kívánt kémiai reakciók is végbemehetnek, mely a réteg szennyeződéséhez vezethet. Az alacsony nyomású CVD-készülékekben ez a hatás csökkenthető. Alkalmaznak nagyvákuumos berendezéseket is, melyekben a nyomás jellemzően 10<sup>-8</sup> [[Bar (mértékegység)|mbarnál]] is alacsonyabb lehet.
A gázbeeresztés módját aszerint választják meg, hogy az az előidézni kívánt kémiai reakcióknak kedvezzen. Az aeroszollal segített CVD-ben (''Aerosol assisted CVD, AACVD'') a prekurzort ultrahanggal diszpergált folyadék- vagy [[Aeroszol|gázaeroszolként]] juttatják a hordozóra, mely elsősorban a nem illékony anyagoknál hasznos. A folyadékinjektálásos CVD-ben (''Direct liquid injection CVD, DLICVD'') a prekurzort folyadékként fecskendezik a rendszerbe. A módszer előnye, hogy szilárd prekurzorok oldatai, illetve folyadékprekurzorok esetén is alkalmazható, és segítségével igen nagy rétegnövekedési ráta érhető el.
==Megjegyzések==
29 ⟶ 46 sor:
* {{Cite web|url=http://www.cnc.hu/2012/08/szerszam-bevonatolasi-eljarasok/|title=Szerszám bevonatolási eljárások: PVD és CVD {{!}} CNC|accessdate=2018-04-26|work=www.cnc.hu|language=hu-HU}}
* {{href|Szepes|{{Cite web|url=http://szepes.web.elte.hu/FOKLAB2011_10.pdf|title=X. Kémiai gőzfázisú rétegleválasztás (CVD). Króm-karbid keménybevonat előállítása|accessdate=2018-04-26|author=Szepes László|publisher=ELTE TTK Kémiai Intézet}}}}
* {{Cite web|url=https://www.szfki.hu/~konczos/tanfolyam/6.pdf|title=6. fejezet, Felületmódosítás|accessdate=2018-04-27|author=Konczos Géza|work=Korszerű anyagok, korszerű technológiák|publisher=MTA Wigner FK SZFI}}
=== Szakkönyvek ===
| |||