„Kémiai gőzfázisú leválasztás” változatai közötti eltérés
| [ellenőrzött változat] | [ellenőrzött változat] |
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
a egy sortörés a sablonban formázási hibát okozott, jav |
→Típusai: bőv |
||
20. sor:
P.A.T.T. van Veenendaal and J.K. Rath|date=2000-06-07|title=Hot Wire CVD of Heterogeneous and Polycrystalline Silicon Semiconducting Thin Films for Application in Thin Film Transistors and Solar Cells|language=angol|journal=Materials Physics and Mechanics|publisher=|volume=2000|issue=1|pages=73–82|url=https://s3.amazonaws.com/academia.edu.documents/39870602/Hot_wire_CVD_of_heterogeneous_and_polycr20151110-20227-190o8vb.pdf?AWSAccessKeyId=AKIAIWOWYYGZ2Y53UL3A&Expires=1524829287&Signature=UslO5Jqiu8w%2FIo%2BR7ltZAJ%2BCpx0%3D&response-content-disposition=inline%3B%20filename%3DHot_wire_CVD_of_heterogeneous_and_polycr.pdf}}</ref><ref>{{cite journal|author=Kenneth K. S. Lau|coauthors=Jeffrey A. Caulfield, Karen K. Gleason|year=2000|title=Structure and Morphology of Fluorocarbon Films Grown by Hot Filament Chemical Vapor Deposition|journal=[[Chemistry of Materials]]|publisher=[[Amerikai Kémiai Társaság]]|volume=12|issue=10|pages=3032–3037|doi=10.1021/cm000499w|issn=0897-4756}}</ref>
* [[Plazmával segített kémiai gőzfázisú leválasztás|Plazmával segített CVD]] (''plasma enhanced CVD, PECVD''): a hidegplazmának azt a tulajdonságát használja ki, hogy benne az elektronok effektív hőmérséklete az ionokéhoz képest jóval magasabb, így nem kell a hordozót annyira felmelegíteni, mint a hagyományos CVD során.{{h|Szepes|o=3}}
* Távoli plazmával segített CVD (''remote plasma-enhanced CVD, RPECVD''): a PECVD-hez hasonló elvű berendezés, viszont a plazma közvetlenül nem érintkezik a hordozóval,
* Lézerrel segített CVD (''laser assisted CVD, LACVD''): lézer segítségével kis területeket világítanak meg a hordozó felületén, így a kémiai reakció aktiválása csak lokálisan történik meg, tehát ez az eljárás mintázatok kialakítására is
* [[Hibrid fizikai-kémiai gőzfázisú leválasztás]] (''Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD''): ez az eljárás a CVD ötvözése a fizikai gőzfázisú leválasztással. Ezen eszközben egy jellemzően fém céltárgyat együtt melegítenek fel a hordozóval. A céltárgy anyaga párologni kezd, és a reaktorba bejuttatott prekurzorgázzal reakcióba lép.
* [[Atomi rétegleválasztás]] (''ALCVD'', illetve az általánosabb ''ALD''): egymás után váltakozva bevezetett prekurzorok segítségével atomi illetve molekuláris rétegépülés érhető el, és e módszerben az epitaxiális növesztés is lehetséges.
* [[Fémorganikus kémai gőzfázisú leválasztás|Fémorganikus CVD]] (''metalorganic CVD, MOCVD''): a végbemenő folyamatok elősegítésének kémiai szemléletű megvalósításainak egy módja a fémorganikus prekurzorok alkalmazásán alapuló MOCVD. Előnye, hogy ezen anyagok hőbomlásához kisebb [[aktiválási energia]] szükséges, mint a szervetlen prekurzorokéhoz, továbbá a réteget szennyező halogenideket sem kell az eljárásban alkalmazni.{{h|Szepes|o=3–4}}
| |||