„Termolumineszcencia” változatai közötti eltérés

[nem ellenőrzött változat][nem ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
Nincs szerkesztési összefoglaló
F o b17 (vitalap | szerkesztései)
Nincs szerkesztési összefoglaló
1. sor:
{{nincsforrás}}
A '''termolumineszcencia'''(TL) az a jelenség, amelynek során egy előzetesen megvilágított vagy besugárzott vagy besugárzott minta sötétben történő felmelegítése során fényt bocsájt ki. Ez a jelenség elsősorban szilárdtestekre jellemző, de megfigyelhető [[aminósav kristályok]]ban és komplex biológiai rendszerekben is. A jelenség első leírása az 1770-es évekből származik,amikor R.[[Robert Boyle]] kék fény kibocsájtását figyelte meg sötétben melegített gyémánt esetén.
<br></br>
 
15. sor:
<br></br>
<br></br>
A termolumineszcencia értelmezéséhez általános esetben egy három energiaszinttel[[energiaszint]]tel rendelkező rendszer feltételezése szükséges. A három energiaszint az alap, gerjesztett és a csapdaállapot. Fény vagy más sugárzással[[sugárzás]]sal történő gerjesztés hatására a rendszer az állapotából a gerjesztett állapotba kerül. Innen közvetlenül visszajuthat az állapotába sugárzás nélküli, vagy sugárzásos, azaz fénykibocsátással járó, átmenet során. A TL kialakulása szempontjából lényeges esemény azonban az alap és a gerjesztett állapot közötti energiájú csapdaszintek betöltődése. A csapdákból nincs közvetlen átmenet az alapállapotba, a gerjesztett állapottal azonban termikus, [[Boltzmann]], egyensúlyban vannak. Így, hőmérséklet emelés hatására a csapdából a rendszer visszakerül a gerjesztett állapotba. Innen az alap állapotba történő sugárzásos átmenet vezet a TL fény kibocsátására. A csapda és a gerjesztett állapot között fennálló termikus egyensúly miatt a csapdázódott rendszer stabilitását a csapda és a gerjesztett állapot energiaszintjeinek különbsége, az ún. [[aktiválási energia]] (E a ) határozza meg.
<br></br>
A csapdából való kiszabadulás hőmérsékletfüggő[[hőmérséklet]]függő valószínűsége a
<br></br>
<br></br>
23. sor:
<br></br>
<br></br>
Formulával írható le, ahol A az ún. preexponenciális faktor, E a aktiválási energia, k a [[Boltzmann -állandó]], T pedig a hőmérséklet.
<br></br>
===A termolumineszcencia mérése===
41. sor:
<br></br>
<br></br>
* '''Flash gerjesztés.''' A minták néhány perces sötét adaptálás után rövid fényimpulzusokkal[[fényimpulzus]]okkal (ezek száma 1 és 10 között van) gerjesztjük. A gerjesztés hőmérséklete 0 [[Celsius]] fok körüli. Ezután a mintát gyorsan lehűtjük majd sötétben állandó fűtési sebességgel felmelegítjük, miközben mérjük a fényintenzitást[[fényintenzitás]]t.
* '''Folyamatos gerjesztés állandó hőmérsékleten.''' A protokoll megegyezik a flash gerjesztésénél alkalmazottal , de flash helyett 30-60s- os folyamatos megvilágítást alkalmazunk.
* '''Gerjesztés hűtés közben.''' A mintát folyamatos megvilágítás közben hűtjük le, és azt követően mérjük a TL jelet.
52. sor:
* fény (sugárzás) állatal gerjeszthető rendszer
* a gerjesztett állapot fény (sugárzás) kibocsátással járó lecsengése az alapállapotba
([[fluoreszcencia]])
* a gerjesztett állapottal termikus egyensúlyban lévő csapdák, amelyekből az alapállapotba nincs közvetlen átmenet.
<br></br>
<br></br>
 
A fotoszintetizáló szervezetekben található fotokémiai rendszerek (reakciócentrumok) mindegyike teljesíti az első feltételt, és a [[fluoreszcencia]] kibocsátás is általában jellemző. Így a TL keletkezése szempontjából a harmadik feltétel, azaz a csapdák jelenléte a kritikus. Csapda állapotok létrejöhetnek alacsony hőmérsékleten (-100 C fok alatt) pigment rendszerekben (izolált pigment oldatok, illetve a fénybegyűjtő rendszer [[pigment]] tartalmú fehérje komplexei). Csapdák kialakulásának további lehetősége a fényindukált [[elektrotranszport]] során keletkező töltések stabilizálódása a fotoszintetikus elektron-transzportlánc redox komponensein. Ebben az esetben a csapdát egy a gerjesztés hőmérsékletén stabil, pozitívan töltött [[donor]] és egy negatívan töltött [[akceptor]] komponensen található [[töltéspár]] alkotja. Ezen töltéspár hőmérséklet növekedés által indukált rekombinációja vezet a gerjesztett állapot újbóli betöltésére és a TL
kibocsátására.
<br></br>
63. sor:
Kísérleti adatok szerint ilyen típusú TL csak a második fotokémiai rendszerben (PSII) figyelhető meg. Ennek oka az, hogy csak a PSII-ben találhatók stabil töltéstárolási állapotok a reakciócentrumok mind a donor, mind az akceptor oldalán.
A csapdaszintek energetikailag az alap és a gerjesztett állapot között helyezkednek el.
A gerjesztett állapot és a csapda energiaszintjei közötti különbség az ún. stabilizációs energia ([[szabad entalpia]]), ami megakadályozza, hogy a szétvált töltéspár szabadon rekombinálódjon.
Egy ilyen rekombinációs folyamat a fotoszintézis szempontjából nyilvánvalóan veszteség. A csapda és az alapállapot közötti energia különbség a tárolt energia (szabad entalpia), ami a fotoszintézis későbbi lépéseiben hasznosul. Általános szabályként elmondhatjuk, hogy a TL sáv csúcshőmérsékletét a stabilizációs energia határozza meg. Azaz, minél nagyobb a stabilizációs energia, annál magasabb hőmérsékleten jelenik meg a TL sáv.
Fotoszintetikus rendszerek esetén TL a -260 és a +150 C fok tartományában figyelhető meg. Ezem belül a fotoszintetikus elektrontranszporttal kapcsolatos komponensek a -80 és +60 C fok tartományban
jelennek meg. A stabilizációs energia fokozatosan növekszik, amint a töltésszétválási folyamat során a töltések az elsődleges [[töltésszétválás]] helyétől egyre távolabb kerülnek. Ezért az alacsony hőmérsékleten megfigyelhető komponensektől várható, hogy a [[töltésstabilizációs folyamat]] korai lépéseit tükrözik.
<br></br>
<br></br>
73. sor:
<br></br>
* Egyszerű műszerezettség
* Az elektrontranszport folyamatokat időskála helyett [[hőmérsékleti skálánskálá]]n lehet vizsgálni
* A fotoszintetikus minták széles skáláján alkalmazható: inakt levelek, [[alga]] és [[cinobaktérium]] sejtek [[tilakoid]] membránok, PSII részecskék [[reakciócentrum]] komplex
* A PSII szinte minden [[redox komponensekomponens]]e tanulmányozható
* A ciklus egyedi reakciói vizsgálhatók
* Szabad [[entalpia]] változások érzékeny indikátora
86. sor:
* egyes TL sáv mindig egy töltéspár rekombinációs tulajdonságait jellemzi
* a hőmérséklet emelése a rekombináció sebességén kívül egyéb tényezőket is befolyásolhat
* a [[fénykibocsátás]] egy sok lépésből álló folyamat végeredménye, ami a TL matematikai leírását és a mért görbék analízisét igen komplikálttá teszi
 
[[Kategória:Fizika]]