„Szikrakisülés” változatai közötti eltérés

Az [[integrált áramkör]]ök (IC-k) igen érzékenyek az elektromágneseselektrosztatikus kisülésre (angolul: '''E'''lectro'''s'''tatic '''D'''ischarge=ESD). A hirtelen fellépő nagy [[elektromos áramerősség|áramerősség]] ugyanis vezetékeket, eszközöket tehet tönkre (szemléletesen "kiégetheti"„kiégetheti” azokat). Pusztán egy emberi kéz közelsége (még a tok érintése sem szükséges hozzá) képes létrehozni a kisülést, ugyanis az emberi test könnyen képes több kV-ra feltöltődni. A meghibásodás veszélye különösen jelentős a [[MOS]] alapú technológiával készült áramkörök esetén, ugyanis az ezzel a technológiával készített [[tranzisztor]]ok vezérlő elektródáján (gate) könnyen gyülemlenek fel töltések, melyek gyors távozása a [[tranzisztor]] csatornájába tönkreteheti a gate és a csatorna között lévő oxidot. Az oxid szerkezetében történő kis változás is (pl. ionizáció) a [[tranzisztor]] működésképtelenségét eredményezheti.</br>

Az [[integrált áramkör]]ök ki- és bemenetei védődiódákkal vannak ellátva. Ha az egyik láb mentén a töltésfelhalmozódás a lábon mérhető feszültség túlzottan megnövekedne (tápfeszültség + a [[dióda]] nyitófeszültsége), vagy túlzottan lecsökkenne (földpotenciál + [[dióda]] nyitófeszültsége), akkor a felesleges töltések a diódákon keresztül elvezetődikelvezetődnek. Azonban ez a legnagyobb problémát, az emberi tényezőt nem tudja kiküszöbölni.</br>