„Pásztázó alagútmikroszkóp” változatai közötti eltérés

[ellenőrzött változat][ellenőrzött változat]
Tartalom törölve Tartalom hozzáadva
aNincs szerkesztési összefoglaló
a némi korr, -iw
2. sor:
A [[mikroszkóp]] az [[alagúthatás]] alapján működik.
 
Az STM-et 1981-ben fejlesztette ki a [[zürich]]i IBM-nél, [[Gerd Binnig]] és [[Heinrich Rohrer]] a [[zürich]]i IBM-nél, amiért fizikai Nobel-díjat kaptak 1986-ban. <ref name="Binnig">{{Cite journal|author=G. Binnig, H. Rohrer|title=Scanning tunneling microscopy|journal=IBM Journal of Research and Development|volume=30|page=4|year=1986}}</ref><ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1986/press.html Press release for the 1986 Nobel Prize in physics]</ref>
Korábban R. Young, J. Ward, és F. Scire (NIST) hasonló találmányt alkottak. <ref>"The Topografiner: An Instrument for Measuring Surface Microtopography". NIST. http://nvl.nist.gov/pub/nistpubs/sp958-lide/214-218.pdf.</ref>
 
A mikroszkóp laterális felbontása: 0,1 nm, mélységi felbontása: 0,01 nm. <ref name="Bai">{{Cite book|author=C. Bai|title=Scanning tunneling microscopy and its applications|publisher=Springer Verlag|place=New York|year=2000|url=http://books.google.com/?id=3Q08jRmmtrkC&pg=PA345|isbn=3-540-65715-0}}</ref> Ez a felbontás lehetővé teszi egyedi atomok megjelenítését, és azok manipulálását. Az STM nem csak vákuumban használható, hanem levegőn, vízben, vagy más közegben is. A működési hőmérsékleti tartomány közel zéró Kelvintől néhány száz Celsiusig terjedhet. <ref name="Chen">{{Cite book |author=C. Julian Chen |title=Introduction to Scanning Tunneling Microscopy |year=1993 |url=http://www.columbia.edu/~jcc2161/documents/STM_2ed.pdf |isbn=0-19-507150-6 |publisher=Oxford University Press}}</ref>
 
A STM működési alapja az alagúthatás. Amikor egy vezető tűt a vizsgálandó felülethez közelítünk igen közel, nanométer nagyságrendben, a tárgy és a tű közé alkalmazott elektromos tér hatására [[alagúthatás]] jön létre, elektronok fognak alagútaznialagutazni. A keletkező alagútáram a tű pozíciójának, az alkalmazott feszültségnek és a vizsgálandó minta felületi sűrűségének a függvénye. <ref name="Chen"/>
 
A felületről az információt az alagútáram adja, melyet számítógép értékel ki. A két elektróda között folyó alagútáram függ a minta és a tű távolságától, 0,1 nanométeres távolság változás tízszeres áramváltozást okoz. Ennek alapján igen jó képet lehet alkotni a vizsgálandó felületről.
A STM telepítése különleges helyszínt igényel: nem lehet vibráció, stabil alapon kell a műszert működtetni. Az eredeti műszernél mágneses levitációt alkalmaztak a vibrációk kiküszöbőlésérekiküszöbölésére. Újabban speciális mechanikus rúgózástrugózást vagy [[gázrúgó]]t alkalmaznak.
 
Kettő tű alkalmazása jobb képet alkot. A tű anyag általában [[volfrám|wolfram]], de lehet [[platina]]-[[irídium]], vagy [[arany]] is. <ref>{{Cite journal|doi=10.1016/j.sna.2005.02.036|title=STM carbon nanotube tips fabrication for critical dimension measurements|year=2005|journal=Sensors and Actuators A: Physical|volume=123-124|pages=655}}</ref>
 
A felbontás korlátja a tű görbületének a sugara. Örvényáramok korlátozása is része a technológiának. KépfeldologozóKépfeldolgozó szoftverek segítségével tovább lehet növelni a képi hatást, akár 3D-ben is.<ref> R. V. Lapshin (1995). "Analytical model for the approximation of hysteresis loop and its application to the scanning tunneling microscope" (PDF). Review of Scientific Instruments 66 (9): 4718–4730. Bibcode 1995RScI...66.4718L. doi:10.1063/1.1145314. http://www.nanoworld.org/homepages/lapshin/publications.htm#analytical1995. (Russian translation is available).</ref><ref> R. V. Lapshin (2007). "Automatic drift elimination in probe microscope images based on techniques of counter-scanning and topography feature recognition" (PDF). Measurement Science and Technology 18 (3): 907–927. Bibcode 2007MeScT..18..907L. doi:10.1088/0957-0233/18/3/046. http://www.nanoworld.org/homepages/lapshin/publications.htm#automatic2007.</ref>
Az STM felhasználásával lehetővé vált felületek nanomanipulációja.
 
39. sor:
[[Kategória:Mikroszkópia]]
[[Kategória:Technika]]
 
[[de:Rastertunnelmikroskopie]]
{{Link GA|de}}
[[bg:Сканиращ тунелен микроскоп]]
{{Link FA|pl}}
[[bs:Skenirajući tunelski mikroskop]]
[[ca:Microscopi d'efecte túnel]]
[[cs:Řádkovací tunelový mikroskop]]
[[da:Scanning Tunnel Microscope]]
[[en:Scanning tunneling microscope]]
[[eo:Tunel-efika mikroskopo]]
[[es:Microscopio de efecto túnel]]
[[fi:Tunnelointimikroskooppi]]
[[fr:Microscope à effet tunnel]]
[[he:מיקרוסקופ מינהור סורק]]
[[id:Mikroskop penerowongan payaran]]
[[it:Microscopio a effetto tunnel]]
[[ml:സ്കാനിങ് ടണലിങ് സൂക്ഷ്മദർശിനി]]
[[nl:Scanning tunneling microscopy]]
[[no:Scanning tunneling mikroskop]]
[[pl:Skaningowy mikroskop tunelowy]]
[[pt:Microscópio de corrente de tunelamento]]
[[ru:Сканирующий туннельный микроскоп]]
[[simple:Scanning tunneling microscope]]
[[sl:Vrstični tunelski mikroskop]]
[[sr:Скенирајући тунелски микроскоп]]
[[sv:Sveptunnelmikroskop]]
[[th:กล้องจุลทรรศน์แบบส่องกราดในอุโมงค์]]
[[uk:Тунельний мікроскоп]]
[[vi:Kính hiển vi quét chui hầm]]